Für eine Oberflächenmodifikation werden omnidirektionale photonische Kristalle favorisiert. Die Umsetzung könnte mit höherbrechenden Materialen wie z.B. Telluritgläser oder einer Beschichtung der Preformen mit optisch dünnen Metallschichten realisiert werden. Für eine miniaturisierte Elektronenquelle wurde ein erstes Design auf der Basis von planaren Silizium- und Glaskomponenten entwickelt, bestehend aus einem Feldemitterarray, Isolationskomponenten, Beschleunigungsgittern und einem elektronentransmissiven MEMS-Fenster. Das entworfene Feldemitter-Design wurde planungsgemäß in Si-MBE Technologie umgesetzt. Unterstützung bei der technologischen Fertigung leistete die Universität der Bundeswehr in München (Prof. I. Eisele).